针对国科大《超大规模集成电路设计》期末考试，本文提供了系统的复习策略与核心知识点梳理，帮助考生高效备考。

一、复习重点与范围

1. CMOS工艺基础

• MOS晶体管结构与工作原理
• CMOS制造工艺流程
• 特征尺寸与工艺节点
• 版图设计规则

1. 数字集成电路设计

• 组合逻辑电路设计
• 时序逻辑电路设计
• 静态CMOS逻辑
• 动态逻辑电路
• 时钟策略与同步设计

1. 存储器设计

• SRAM结构与设计
• DRAM原理
• ROM类型与应用
• 存储器阵列组织

1. 低功耗设计技术

• 功耗组成分析
• 动态功耗优化
• 静态功耗控制
• 电源管理技术

1. 测试与可靠性

• 故障模型
• 测试向量生成
• 可测试性设计
• 可靠性问题

二、复习建议

1. 理论联系实际
结合实验课程内容，理解电路设计到版图实现的全过程。重点掌握典型电路的分析与设计方法。

2. 公式推导与记忆
熟练掌握关键公式，如延时模型、功耗计算公式等，并能进行推导和应用。

3. 历年试题分析
研究近三年考试题目，了解出题规律和重点考查内容。特别注意综合应用题的设计思路。

4. 概念辨析
注意区分易混淆概念，如静态功耗与动态功耗、建立时间与保持时间等。

三、应试技巧

1. 时间分配
合理分配各部分答题时间，确保综合题有充足时间完成。

2. 答题规范
电路图绘制要规范，计算题步骤要完整，论述题逻辑要清晰。

3. 重点突破
对存储器设计、低功耗技术等高频考点要重点掌握。

通过系统复习和针对性训练，相信考生能够取得理想成绩。建议提前2-3周开始复习，每天保持稳定的学习节奏，结合教材、讲义和习题进行全面准备。